青色発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-307525
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167736
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】経時特性劣化が抑制された青色発光素子、およびその効率的な製造方法を提供する。【構成】 PINダイオード構成を有する青色発光ダイオード素子において、活性層であるi型a-SiC:H薄膜(水素化アモルファスSiC薄膜)4に1〜50原子%のNを含有させる。Nの含有により、膜中におけるSi原子とC原子の均一分散が促進され、アモルファス膜であっても青色発光が実現される。さらに、ダングリング・ボンドの少なくとも一部がN原子で終端されるため、再結合中心が消滅し発光効率が改善される。N原子は膜中で安定であるため、上記PINダイオードの耐湿性が向上し、寿命が延長する。

請求項（抜粋）：