特許

J-GLOBAL ID：200903080388431678

半導体装置及びその製造方法

発明者： 西堀 一弥 ,  青山 知憲 ,  北浦 義昭 ,  田邊 芳一 ,  須黒 恭一 ,  阿部 和秀 ,  小松 周一 ,  奥和田 久美
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-002475
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274256
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【課題】酸化物誘電体膜を用いたキャパシタにおいて、キャパシタ電極の酸化に起因する特性の劣化を防止する。【解決手段】GaAs基板11上にSiO2 膜12と第1配線層13とがこの順に配設される。第1配線層13上にはキャパシタ10が形成される。キャパシタ10の下部電極14は、下から順にTi層/Mo層/Pt層からなる多層構造を有する。キャパシタ10の誘電体膜15aはチタン酸ストロンチウムからなる。キャパシタの上部電極16aは下から順にWNx 層21(120nm)/W層22(300nm)からなる多層構造を有する。誘電体膜15aに接する上部電極16aの面は窒化タングステン層21により規定される。

請求項（抜粋）：

酸化物からなる誘電体膜と、前記誘電体膜を挟む第1及び第2電極と、を有するキャパシタを具備し、前記第1電極が窒化タングステンからなる第1接触面を介して前記誘電体膜と接触することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (3件)

• キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-057226   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平1-264250
  
• 特開昭60-039870