特許
J-GLOBAL ID：200903080418429380
スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034562
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 配線抵抗が小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に優れ、さらには膜組成均質性と膜厚均質性に優れた配線膜を形成することが可能であるような高純度銅合金スパッタリングターゲットと薄膜形成装置部品を提供する。【解決手段】 Na及びK含有量がそれぞれ0.5ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca含有量がそれぞれ2ppm以下、酸素含有量が5ppm以下、U及びTh含有量がそれぞれ1ppb以下、Mg含有量が0.02〜4wt%でガス成分とMgを除いた残余部分の銅の含有量が99.99%以上であることを特徴とする高純度銅合金を用いてスパッタリングターゲットまたは薄膜形成装置用部品を作製する。
請求項（抜粋）：
Na及びK含有量がそれぞれ0.5ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca含有量がそれぞれ2ppm以下、酸素含有量が5ppm以下、U及びTh含有量がそれぞれ1ppb以下、Mg含有量が0.02〜4wt%でガス成分とMgを除いた残余部分の銅の含有量が99.99%以上であることを特徴とする高純度銅合金スパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C22C 9/00
, H01L 21/285
C23C 14/34 A
, C22C 9/00
, H01L 21/285 S
4K029BA08
, 4K029BC03
, 4K029BD02
, 4K029DC03
, 4M104BB04
, 4M104DD40
, 4M104HH01
