特許
J-GLOBAL ID：200903080434508575
ウェーハの加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
落合 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-239279
公開番号（公開出願番号）：特開平9-057586
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイスの高集積化に対応でき、しかも、面取り部の研磨を迅速に行うことができる半導体ウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】 インゴットをスライスして得られたウェーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラッピングを行った後エッチングを行い、次いで、前記ウェーハの外周面取り部を所定量研削し、次いで、前記外周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部の全体および表裏面の研磨を行うようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
インゴットをスライスして得られたウェーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラッピングを行った後エッチングを行い、次いで、前記ウェーハの外周面取り部を所定量研削し、次いで、前記外周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部の全体および表裏面の研磨を行うようにしたことを特徴とするウェーハの加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B24B 1/00 A
, B24B 9/00 L
