特許
J-GLOBAL ID：200903080437923964

エッチング方法

発明者：
クノッテル ディルク エム

クノッテル ディルク エム について

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ファン デ フォルスト アントニウス アー エム

ファン デ フォルスト アントニウス アー エム について


出願人/特許権者：
コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ について


代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-544443
公開番号（公開出願番号）：特表2002-500828
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2002年01月08日
要約：
【要約】基板をエッチング剤に、基板上の材料層の厚さtが値t0に減少するのに十分な期間に亘ってさらし、その時点でエッチング剤への暴露を終了させることにより基板上の材料層の厚さを減少させる方法である。本発明では、エッチ除去された材料の深さΔtを任意の瞬時に決定し得るモニタ手段を用いて厚さt0を決定する。前記モニタ手段は、任意の瞬時におけるその共振周波数fが該瞬時における結晶の質量mの関数である共振結晶として具体化し、前記結晶を、前記基板上の材料層に対するエッチング剤と同一のエッチング剤を用いてエッチングし得る基準材料の厚さdの層で被覆する。前記結晶を基板と同時にエッチング剤にさらし、その結果として基準材料がエッチ除去されるにつれて質量mを減少させ、質量mの減少Δmが厚さdの減少Δdに対応するとともに厚さtの減少Δtにも対応するようにする。共振周波数fをモニタして、質量mの減少Δmに対応するとともに厚さtの減少Δtにも対応する周波数fの増大Δfを識別し、エッチング剤への基板と結晶の暴露を、所望の値t0=t-Δtに対応する周波数f0=f+Δfの到達時に終了させる。特定に例では、基板は半導体デバイスであり、基板上の材料層は酸化シリコン層であり、エッチング剤は水性弗化水素である。
請求項（抜粋）：
基板をエッチング剤に、基板上の材料層の厚さtが値t0に減少するのに十分な期間に亘ってさらし、その時点でエッチング剤への暴露を終了させることにより基板上の材料層の厚さを減少させる方法において、 エッチ除去された材料の深さΔtを任意の瞬時に決定し得るモニタ手段を用いて厚さt0を決定し、 前記モニタ手段は、任意の瞬時におけるその共振周波数fが該瞬時における結晶の質量mの関数である共振結晶として具体化し、 前記結晶を、前記基板上の材料層に対するエッチング剤と同一のエッチング剤を用いてエッチングし得る基準材料の厚さdの層で被覆し、 前記結晶を基板と同時にエッチング剤にさらし、その結果として基準材料がエッチ除去されるにつれて質量mを減少させ、質量mの減少Δmが厚さdの減少Δdに対応するとともに厚さtの減少Δtにも対応するようにし、 共振周波数fをモニタして、質量mの減少Δmに対応するとともに厚さtの減少Δtにも対応する周波数fの増大Δfを識別し、 エッチング剤への基板と結晶の暴露を、所望の値t0=t-Δtに対応する周波数f0=f+Δfの到達時に終了させること、を特徴とする基板上の材料層の厚さを減少させる方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  G01B 17/02 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
G01B 17/02 A ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/306 U
引用特許：
審査官引用 (4件)
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