特許

J-GLOBAL ID：200903080478423089

電力用半導体装置

発明者： 山田 順治 ,  佐伯 聖司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 青山 葆 ,  河宮 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-253668
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095769
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】放熱性が改善され、外部導電板との接続が容易になり、全体として小型化、高容量化対応が容易な電力用半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップと電極端子(6a, 6b)とをワイヤボンディングにより接続するとともに、電極端子(6b, 6c)と回路パターン(3a, 3b)とを接続する接続導体(60b, 60c)が電極端子(6b, 6c)の一部を部分的に延在させた延在部(60b, 60c)と回路パターン(3a, 3b)とを半田付け接続する構成とし、電極端子のワイヤボンディングを行う箇所が少なくでき、電気抵抗値が小さくなり、発熱と電圧降下を抑制することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上主面に形成された回路パターンと、 前記回路パターン上に搭載された半導体チップと、 該半導体チップの電極と所定位置に配設された第1の電極端子とをワイヤボンディングで接続する第1の接続導体と、 前記第1の電極端子より低い位置に配設された第2の電極端子と前記回路パターンとを接続する第2の接続導体とを備えた電力用半導体装置において、 前記第2の接続導体は、前記第1の接続導体の下側に前記第1の接続導体と互いに間隔をおいて配設され、前記第2の電極端子の一部を部分的に水平に延在させた延在部と前記回路パターンとを半田付け接続する構成としたことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (2件)：

H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-330468   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-339543   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-330468   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-339543   出願人：三菱電機株式会社