半導体モジュール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339543
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164800
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】放熱板を介して動作時の発熱を放熱し、IGBT素子とダイオード素子とを接続して筐体内に収納するIGBTモジュールにおいて、該モジュールの横方向の面積を縮小して小型化を図る。【解決手段】 IGBT素子28のコレクタ電極32形成面を放熱板26に搭載し、エミッタ電極30形成面上に、導電性樹脂36により素子間接続導体35を接合し、さらにその上に、ダイオード素子29のアノード電極33形成面を導電性樹脂36により接合し、IGBT素子28とダイオード素子29とを縦方向に積層して接続する。

請求項（抜粋）：

一方の面が放熱板上に搭載された第1の半導体素子が、第2の半導体素子と接続されて筐体内に収納される半導体モジュールにおいて、上記第1の半導体素子と上記第2の半導体素子とを素子間接続導体を介して縦方向に積層して接合したことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 25/065

FI (2件)：

H01L 25/04 C , H01L 25/08 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-055044
特開平4-293261
圧接型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-095578 出願人：株式会社日立製作所

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