特許

J-GLOBAL ID：200903080510645269

Si発光装置およびその作製方法

発明者： 西田 彰男 ,  中川 清和 ,  大嶋 卓 ,  嶋田 寿一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138333
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335624
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 多孔質Siの発光波長を容易に制御し、複数の発光波長をもつ発光素子を同一基板面内への形成を実現する。【構成】 あらかじめフォトリソグラフィー、イオン注入技術などの従来技術を用い、Si基板面内に不純物添加領域を形成しその領域の比抵抗を変え、その基板を陽極化成することによって多孔質度を変えて波長制御された多孔質Si発光領域を得る。【効果】 本発明の方法を用いることによって、Si基板面内に波長を制御された発光領域の形成が容易になり、さらにSi基板面内に波長制御された複数の発光領域の形成を容易になる。

請求項（抜粋）：

Si基板面内の特定領域に制御して不純物を添加し、Si基板表面層の比抵抗を変えることにより、陽極化成反応で形成した多孔質Si層の多孔質度を変えて複数の発光領域を形成したことを特長とするSi発光装置。