容量式湿度センサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢作和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078136
公開番号（公開出願番号）：特開2003-270189
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】一対の電極上に保護膜としてシリコン窒化膜を形成した場合であっても、電極間の静電容量に関するヒステリシスを低減すること。【解決手段】半導体基板10上の同一平面に、一対の櫛歯型電極31,32を形成し、その一対の櫛歯型電極31,32を覆うように、シリコン窒化膜40からなる保護膜及びポリイミド系ポリマーからなる感湿膜50を形成する。そして、対向配置される櫛歯型電極31,32の間隔をシリコン窒化膜40の膜厚の少なくとも2倍以上に設定する。これにより、保護膜40を形成した場合であっても、感湿膜50における水分の移動が容易になるため、湿度の上昇時と低下時における一対の櫛歯型電極31,32間の静電容量の変化量に関するヒステリシスを低減できる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上の同一平面に、所定の間隔を隔てて配置された第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極と、その第1及び第2の電極間とを覆うように前記基板上に形成される保護膜と、前記保護膜上において、少なくとも前記第1及び第2の電極の間における領域の上方に形成され、湿度に応じて誘電率が変化する感湿膜とを備える容量式湿度センサであって、前記第1及び第2の電極の間隔が、前記保護膜の厚さの少なくとも2倍以上に設定されていることを特徴とする容量式湿度センサ。

Fターム (6件)：

2G060AA01 , 2G060AB02 , 2G060AE19 , 2G060AF10 , 2G060AG08 , 2G060AG10

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭62-182642
特開昭57-124401
特開昭57-100714

全件表示

前のページに戻る