半導体形成方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172092
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007285
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】工程数が増加せずかつ表面積が低下することのないHSGを形成するための方法及び装置を与える。【解決手段】半導体基板上のアモルファスシリコン表面の自然酸化膜を前処理により除去し,前記半導体基板をプロセス温度までヒートアップすることによりダングリングボンドの水素を脱離させ,シリコン化合物の雰囲気中でアモルファスシリコン表面の活性面にのみ選択的にアモルファスシリコン/ポリシリコン混相薄膜を成長させ連続的にアニールすることにより表面が凹凸のHSGを形成する方法において,さらに,リン化合物及びその希釈ガスを前記半導体基板がプロセス温度までヒートアップされる最中に反応室内に供給する工程と,前記半導体基板をリン化合物及びその希釈ガスを含む雰囲気中でアニールする工程と,を含むことを特徴とする方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のアモルファスシリコン表面の自然酸化膜を前処理により除去し,前記半導体基板をプロセス温度までヒートアップすることによりダングリングボンドの水素を脱離させ,シリコン化合物の雰囲気中でアモルファスシリコン表面の活性面にのみ選択的にアモルファスシリコン/ポリシリコン混相薄膜を成長させ連続的にアニールすることにより表面が凹凸のHSGを形成する方法において,さらにリン化合物及びその希釈ガスを前記半導体基板がプロセス温度までヒートアップされる最中に反応室内に供給する工程と,前記半導体基板をリン化合物及びその希釈ガスを含む雰囲気中でアニールする工程と,を含むことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 B

Fターム (18件)：

5F038AC04 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038DF05 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F083AD23 , 5F083AD51 , 5F083AD62 , 5F083GA09 , 5F083GA18 , 5F083GA27 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA32 , 5F083JA33 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (1件)

容量素子の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-320583 出願人：日本電気株式会社

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