特許

J-GLOBAL ID：200903080530492914

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 奥山 敦 ,  浅田 和己 ,  岩元 勇人 ,  石崎 逸郎 ,  田中 眞人 ,  橋詰 彰夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-232478
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048983
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】基板にダメージを与えることなく、イオン注入時にマスクとして用いられたレジストなどの有機物を良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 【解決手段】過酸化水素ガス供給部3において、加熱槽26に貯留されている過酸化水素水が加熱されることにより、過酸化水素水が高濃度化され、この高濃度の過酸化水素水が気化ユニット32でさらに加熱されることにより、水分を含まない過酸化水素ガスが生成される。そして、その過酸化水素ガスが二流体ノズル6に供給されるとともに、硫酸供給部2から硫酸が供給されて、二流体ノズル6からスピンチャック5に保持されているウエハWの表面に、過酸化水素ガスと硫酸との混合流体の液滴の噴流が供給される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板保持手段により基板を保持する基板保持工程と、 加熱槽内の過酸化水素水を加熱して、その濃度を上げる高濃度化工程と、 前記高濃度化工程で濃度が上げられた過酸化水素水を前記加熱槽から混合供給手段に向けて送出する送出工程と、 前記混合供給手段において、過酸化水素を含む流体と硫酸および三酸化硫黄のうちの少なくとも一方を含む流体とを混合させる混合工程と、 前記混合工程で混合された流体を前記混合供給手段から前記基板保持手段に保持されている基板に供給する流体供給工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/027 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/10 ,  B08B 3/02 ,  G11B 7/26

FI (8件)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/304 648G ,  H01L21/304 643C ,  B08B3/08 Z ,  B08B3/10 Z ,  B08B3/02 G ,  G11B7/26 521

Fターム (14件)：

3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB33 ,  3B201AB42 ,  3B201BB22 ,  3B201BB38 ,  3B201BB82 ,  3B201BB95 ,  3B201BB96 ,  5D121AA02 ,  5D121GG18 ,  5D121GG28 ,  5F046MA02 ,  5F046MA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板処理方法および基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078644   出願人：大日本スクリーン製造株式会社