回路基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217681
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068321
出願日： 1997年08月12日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】配線層の高密度化を課題とする。【解決手段】基材に樹脂を含浸及び硬化して形成される第1絶縁層2と第1配線層1とが交互に積層されたプリント配線板Aと、プリント配線板Aの表面に露出する第1配線層1上に第2絶縁層4と第2配線層5とが交互に積層された多層回路Bとからなり、第1絶縁層2を形成する樹脂が、180〜350°Cの硬化温度を有するポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆体を硬化することにより得られ、第2絶縁層4を形成する樹脂が、180〜350°Cの硬化温度を有するポリイミド樹脂の前駆体を硬化することにより得られることを特徴とする回路基板により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

基材に樹脂を含浸及び硬化して形成される第1絶縁層と第1配線層とが交互に積層されたプリント配線板と、プリント配線板の表面に露出する第1配線層上に第2絶縁層と第2配線層とが交互に積層された多層回路とからなり、第1絶縁層を形成する樹脂が、180〜350°Cの硬化温度を有するポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆体を硬化することにより得られ、第2絶縁層を形成する樹脂が、180〜350°Cの硬化温度を有するポリイミド樹脂の前駆体を硬化することにより得られることを特徴とする回路基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 , H05K 3/24 , H01L 23/12

FI (6件)：

H05K 3/46 T , H05K 3/46 G , H05K 3/46 N , H05K 3/46 Q , H05K 3/24 Z , H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開平3-263109
特開平3-263109
特開昭54-094668

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