半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009960
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273232
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】集積度を上げ、分極特性を上げ、劣化を防ぐ。【構成】ゲート絶縁膜34、活性領域38、ソース36およびドレイン37を単結晶膜で構成する。単結晶膜の形成は、一旦アモルファスまたは多結晶構造に形成した後またはその途上で、指向性の高い軽い原子流を照射し、ブラベーの法則にて各入射方向に垂直に最稠密面が配向するように単結晶化する。【効果】単結晶化されることで、ゲート絶縁膜の外部電界に対する分極電界特性が上り、活性領域、ソースおよびドレインのゲートオン時とゲートオフ時のドレイン電流比を増大できる。故にセル面積を小にできる。各部の結晶欠陥を軽減することで劣化を防ぐ。

請求項（抜粋）：

不揮発で電気的書き込み消去可能なメモリ半導体装置であって、第1の基板と、該第1の基板の上側に並列される複数個の第2の基板と、該各第2の基板の上層部に選択的に形成される第1の拡散領域および第2の拡散領域と、前記第1の拡散領域と前記第2の拡散領域との間に形成される活性領域と、少なくとも前記活性領域の上面に形成されるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上面に形成されるゲート電極とを備え、前記ゲート絶縁膜は強誘電体からなる単結晶膜で構成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/20 , H01L 27/10 451 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

不揮発性メモリセル
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-185112 出願人：ティーディーケイ株式会社

前のページに戻る