特許

J-GLOBAL ID：200903080569565293

微小突起の低減方法

発明者： 大島 良暁
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-005943
公開番号（公開出願番号）：特開2003-211351
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月29日
要約：

【要約】【課題】メモリーハードディスクの仕上げ研磨や半導体素子用の研磨用として、研磨後の被研磨物の表面粗さが小さく、かつ突起や研磨傷等の表面欠陥、特に原子間力顕微鏡を用いた表面形状解析で検知される微小突起を経済的に高速に低減することが可能である被研磨基板の微小突起の低減方法、該方法を用いて得られる磁気ディスク用基板及び前記方法を用いる基板の製造方法を提供すること。【解決手段】水、研磨材、酸化合物を含有してなり、pHが酸性かつ研磨材の濃度が10重量%未満である研磨液組成物を用いて被研磨基板の研磨を行う工程を有する、原子間力顕微鏡(AFM)を用いた表面解析により検知される被研磨基板の微小突起を低減する方法、該方法を用いて得られる磁気ディスク用基板、並びに前記方法を用いて原子間力顕微鏡(AFM)を用いた表面解析により検知される微小突起を低減した磁気ディスク用基板を製造する方法。

請求項（抜粋）：

水、研磨材、酸化合物を含有してなり、pHが酸性かつ研磨材の濃度が10重量%未満である研磨液組成物を用いて被研磨基板の研磨を行う工程を有する、原子間力顕微鏡(AFM)を用いた表面解析により検知される被研磨基板の微小突起を低減する方法。

IPC (5件)：

B24B 37/00 ,  B24B 1/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  G11B 5/84

FI (5件)：

B24B 37/00 H ,  B24B 1/00 D ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  G11B 5/84 A

Fターム (14件)：

3C049AA07 ,  3C049AC02 ,  3C049AC04 ,  3C049CA01 ,  3C049CB01 ,  3C049CB05 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17 ,  5D112AA02 ,  5D112BA09 ,  5D112GA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ガラス基板の製造方法及びガラス基板の強化処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-163761   出願人：旭テクノグラス株式会社
• 研磨液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-345113   出願人：花王株式会社