特許

J-GLOBAL ID：200903080599974988

レーザ割断方法

発明者： 稲田 源次 ,  井利 潤一郎 ,  西脇 正行 ,  須釜 定之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-342246
公開番号（公開出願番号）：特開2006-150385
出願日： 2004年11月26日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】 レーザ加工によって内部加工領域を形成した後の被割断部材を表面の割断予定線から外れないように割断する。【解決手段】 シリコン基板10の内部にレーザ光を集光させて複数の内部亀裂12a〜12fを発生させ、このレーザ光をシリコン基板10の割断予定線Cに沿って走査することで亀裂を形成する際に、内部亀裂を表面の割断予定線Cに導くための表面加工痕11aを、内部亀裂12fの形成するためのレーザ光の集光によって同時に形成する。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

被割断部材表面から被割断部材内部にレーザ光を集光させて内部加工領域を形成して当該被割断部材を割断するレーザ割断方法であって、 前記被割断部材内部にレーザ光を集光させて深さ方向にのびる内部加工領域を形成させる際に、前記被割断部材内部の所定の深さにレーザ光を集光させることにより、前記内部加工領域を形成するとともに前記被割断部材表面のレーザ光の被照射位置に凹部を形成することを特徴とするレーザ割断方法。

IPC (4件)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/40 ,  C03B 33/09 ,  H01L 21/301

FI (5件)：

B23K26/00 D ,  B23K26/40 ,  C03B33/09 ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 V

Fターム (7件)：

4E068AA03 ,  4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068CD01 ,  4E068DA10 ,  4G015FA06 ,  4G015FB01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278768   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278663   出願人：浜松ホトニクス株式会社