半導体レーザ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小堀益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-157740
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326406
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】電子あるいは正孔が活性層からクラッド層へオーバーフローすることを抑制し、しきい値電流密度が低く、高効率で温度特性の良好な半導体レーザ装置を提供すること。【構成】活性層6とこれを挟むクラッド層4,8を基本構成要素とする半導体レーザ装置において、活性層6とクラッド層4,8の間あるいは活性層6に近いクラッド層4,8の中に、逆格子空間のΓ点近傍の電子或いは正孔に対する反射率と、他の一つ以上の主要な対称点近傍の電子或いは正孔に対する反射率とがともに高い井戸層と障壁層を重ね合わせた多重量子障壁層7を設ける。

請求項（抜粋）：

活性層とこれを挟むクラッド層を基本構成要素とする半導体レーザ装置において、活性層とクラッド層の間あるいは活性層に近いクラッド層の中に、逆格子空間のΓ点近傍の電子或いは正孔に対する反射率と、他の一つ以上の主要な対称点近傍の電子或いは正孔に対する反射率とがともに高い井戸層と障壁層を重ね合わせた多重量子障壁層を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-033079
特開平4-033079
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-158841 出願人：住友電気工業株式会社

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