特許
J-GLOBAL ID：200903080653139801
電気抵抗変化素子およびこの電気抵抗変化素子を備えた半導体装置ならびにその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-094630
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273548
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】フォーミング時の動作電圧のばらつきを低減できる抵抗変化素子を提供する。【解決手段】ZrおよびHfの少なくとも一方の元素を主成分として含む金属酸化物または金属酸窒化物が蛍石型構造を有する抵抗変化膜4と、前記抵抗変化膜を挟むように設けられた1対の第1および第2電極2,6と、を備え、前記抵抗変化膜の結晶構造は、一部または全部にBevanクラスターを有し、Vを蛍石型結晶構造における陰イオンサイトに陰イオンが存在しない空孔、Mを上記金属酸化物または金属酸窒化物の金属元素、Sを蛍石型結晶構造における最大の8面体型空隙サイトとしたとき、前記Bevanクラスターのユニットセルにおける「-S-V-M-V-S-」となる直鎖状の連鎖の配列の方向が前記膜の主面に対して実質的に垂直である結晶の向きを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ZrおよびHfの少なくとも一方の元素を主成分として含む金属酸化物または金属酸窒化物を有し、前記金属酸化物または金属酸窒化物が蛍石型構造、蛍石型構造において陰イオンサイトが欠損した構造、立方晶の蛍石型結晶系が六方晶の結晶系となる状態に歪んだ構造、立方晶の蛍石型結晶系が菱面体晶の結晶系となる状態に歪んだ構造のいずれかである結晶構造を有する抵抗変化膜と、
前記抵抗変化膜を挟むように設けられた1対の第1および第2電極と、
を備え、
前記抵抗変化膜の結晶構造は、一部または全部にBevanクラスターを有し、Vを蛍石型結晶構造における陰イオンサイトに陰イオンが存在しない空孔、Mを上記金属酸化物または金属酸窒化物の金属元素、Sを蛍石型結晶構造における最大の8面体型空隙サイトとしたとき、前記Bevanクラスターのユニットセルにおける「-S-V-M-V-S-」となる直鎖状の連鎖の配列の方向が前記膜の主面に対して実質的に垂直である結晶の向きを有することを特徴とする電気抵抗変化素子。
IPC (5件)：
H01L 45/00
, H01L 27/10
, H01L 49/00
, H01L 21/822
, H01L 27/04
H01L45/00 Z
, H01L27/10 451
, H01L49/00 Z
, H01L27/04 P
, H01L27/04 V
5F038AR07
, 5F038AR14
, 5F038AR15
, 5F038AR26
, 5F038AV01
, 5F038DF05
, 5F038EZ14
, 5F038EZ20
, 5F083FZ10
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083JA42
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083JA60
, 5F083PR33
