半導体レーザの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山敏之 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127305
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327112
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 MOCVD法を用いて、活性層の膜厚が共振器長方向に変化する高出力構造の半導体レーザを製造する。【構成】 InP基板1上に、MOCVD法によって、光導波路となるリッジ状の多層結晶膜を形成する際、InP基板1上には、前記多層結晶膜が形成されるべき領域を挟んで両側に、選択成長のための一対のマスク2、2を形成する。該マスク2の幅は共振器長方向に変化し、共振器端面の近傍部には細幅部22、共振器中央部には太幅部21を具えている。これによって、前記細幅部22上は薄く、太幅部21上は厚い活性層が成長する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、有機金属気相成長法によって、光導波路となるリッジ状の多層結晶膜を形成する半導体レーザの製造方法において、有機金属気相成長法による結晶成長に際して、半導体基板上には、前記多層結晶膜が形成されるべき領域を挟んで両側に、選択成長のための一対のマスク(2)(2)を設け、各マスク(2)の幅は、共振器長方向に変化して、共振器端面の近傍部では細幅に、共振器中央部では太幅に形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

光機能素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-253108 出願人：工業技術院長
特開昭60-257583
特開平2-156586

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