特許

J-GLOBAL ID：200903080668252701

セラミックコンデンサ

発明者： 神垣 耕世 ,  永仮 尚謙 ,  南部 信次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131706
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330179
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】比誘電率が1000以上で、DCバイアス特性および静電容量の温度特性が良好であり、層厚3μm以下の誘電体薄膜を有するセラミックコンデンサを提供することを目的とする。【構成】誘電体薄膜を一対の電極により挟持してなるセラミックコンデンサであって、前記誘電体薄膜が平均結晶粒径0.15〜0.25μmのチタン酸バリウム(BaTiO3 )からなるもので、チタン酸バリウム(BaTiO3 )は立方晶結晶であり、誘電体薄膜はゾルゲル法により形成され、電極が配向した白金(Pt)薄膜であることが望ましい。

請求項（抜粋）：

誘電体薄膜を一対の電極により挟持してなるセラミックコンデンサであって、前記誘電体薄膜が平均結晶粒径0.15〜0.25μmのチタン酸バリウム(BaTiO3 )からなることを特徴とするセラミックコンデンサ。

IPC (2件)：

H01G 4/12 397 ,  H01B 3/12 303

FI (2件)：

H01G 4/12 397 ,  H01B 3/12 303

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-270311
  
• 薄膜電極および薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-256795   出願人：ミノルタカメラ株式会社
• 特開昭61-111957
  
• 誘電体磁器およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229152   出願人：テイカ株式会社