半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162294
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354886
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】DC-PBH型半導体レーザの高温・高出力特性を、レーザの効率や信頼性の低下をもたらすことなく向上させる。【解決手段】再結合層2に対しSi等の不純物を導入する。Si濃度は1×1017〜5×1018cm-3程度とする。これにより再結合層2のキャリア寿命を短くして再結合層2に流れる漏れ電流を相対的に増大させ、チャネル3を流れる漏れ電流を減少させる。

請求項（抜粋）：

活性層の両脇に電流ブロック層および再結合層を有するDC-PBH型半導体レーザであって、前記再結合層に不純物が導入されたことを特徴とするDC-PBH型半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-128589
特開昭63-169085
半導体レーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-124127 出願人：日本電気株式会社

全件表示

前のページに戻る