半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243851
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204598
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 OTDR(Optical Time Domain Reflectmeter)用高出力半導体レーザあるいは耐環境用半導体レーザにおいては、活性層からの発熱を抑制するために、できる限り駆動電流が小さいことが望ましい。従来構造のDC-PBHレーザの問題点を除去し、85°C-20mW時における駆動電流を80mA以下にし、高出力用あるいは耐環境用レーザの特性を改善する。【構成】 n型、あるいはp型半導体基板上に形成されるDC-PBH半導体レーザにおいて、各々n型、あるいはp型電流ブロック層14と活性層9との垂直方向の距離dが0.5μm以下である。これより、漏れ電流を抑制するため効果的な電流注入が可能となり、85°Cで20mW動作時の駆動電流75mAという高温でも良好な半導体レーザを得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたDC-PBH(double-channel planar buried heterostructure)半導体レーザにおいて、電流ブロック層と活性層との垂直方向の距離が0.5μm以下であることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-158356 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭62-061383

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