特許
J-GLOBAL ID：200903080685833602
アルミニウムのパーセンテージが傾斜して変化するショットキー障壁を有するInP系HEMT
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-129772
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323705
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 従来技術のHEMT装置によって得られるPAEよりも、予め選択されたレベルの出力電力に関してより高いPAEが得られるHEMT装置を提供する。特に、HEMT装置のチャネル中の高電子移動度、高シートキャリア濃度及び高電子速度を与える、効率の改良されたHEMT装置を提供する。【解決手段】 効率と電力とが改良されたHEMT装置32を提供するような、アルミニウムのパーセンテージが傾斜して変化するショットキー障壁30である。本ショットキー障壁30は、第1のパーセンテージのアルミニウムを有する第1の材料で形成された下部層31を備える。上部層33は、下部層31の上に配置されかつ第2の材料で形成され、一部分は、第1のパーセンテージを超える第2のパーセンテージのアルミニウムを有する。HEMT装置32のゲート58は、ショットキー障壁30のうちの第2のパーセンテージのアルミニウムを含む部分59の上に位置決めされる。
請求項（抜粋）：
第1のパーセンテージのアルミニウムを有する第1の材料で形成された下部層と;前記第1のパーセンテージを超える第2のパーセンテージのアルミニウムを有する第2の材料で一部分が形成されかつ前記下部層の上に配置された上部層と;を備えるショットキー障壁。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
