受光素子及び受光素子モジュール

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川瀬茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205067
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036615
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】 λ<SB>1</SB>、λ<SB>2</SB>の2波長の信号を扱う光通信に用いられ波長分波器が不要であり、信号遅れ成分を排除でき、表面実装に適した受光素子を提供する事。【解決手段】 λ<SB>1</SB><λ<SB>g</SB><λ<SB>2</SB>であるバンドギャップ波長を持つフィルタ層を基板の表面裏面の何れかに有し、中央のpn接合を囲んで周辺部のpn接合を設け、中央のp領域(又はn領域)にはp電極を、周辺の拡散遮蔽層のpn接合を横切るようにn電極(又はp電極)を設ける。

請求項（抜粋）：

第1の波長λ<SB>1</SB> の光とそれより長い第2の波長λ<SB>2</SB> の光(λ<SB></SB><SB>1 </SB><λ<SB>2</SB> )を用いた光通信において第2の波長λ<SB>2 </SB>の光のみを感受するための受光素子であって、半絶縁性或いはn型又はp型の何れかである第1伝導型の半導体基板と、半導体基板の一方の面にエピタキシャル成長させた波長λ<SB>1</SB> の光のエネルギーより低く波長λ<SB>2</SB> の光のエネルギーより高いバンドギャップを持ちλ<SB>1</SB>の光の透過率が3%以下である厚みを有するn型又はp型半導体結晶よりなるフィルタ層と、フィルタ層の上或いはフィルタ層と反対側の基板の上にエピタキシャル成長させた第1伝導型の受光層と、第1伝導型受光層の一部に第2伝導型の不純物をドープして形成したp型又はn型の何れかである第2伝導型の中央受光領域と、第2伝導型中央受光領域と第1伝導型半導体層の境界にできる第1のpn接合と、第2伝導型中央受光領域の上に形成される第2伝導型用の電極と、中央受光領域を囲むように周辺部に第2伝導型不純物をドープすることによって設けられる第2伝導型拡散遮蔽層と、第2伝導型拡散遮蔽層と第1伝導型半導体層の境界にできる第2のpn接合と、拡散遮蔽層、第2pn接合と第1伝導型層にまたがって設けられる第1伝導型電極とを含み、波長λ<SB>1</SB>、λ<SB>2</SB>の信号光が基板側から入射し、λ<SB>1</SB>はフィルタ層に吸収され、λ<SB>2</SB>はフィルタ層、第1伝導型基板、第1伝導型受光層、第1のpn接合を経て第2伝導型中央受光領域に至るようにした裏面入射型であり、第1伝導型電極は第2のpn接合を短絡する作用をもつようにしたことを特徴とする受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/108 , G02B 6/122 , H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 31/10 C , G02B 6/12 B , H01L 27/14 D

Fターム (43件)：

2H047AA04 , 2H047BB09 , 2H047BB18 , 2H047CC03 , 2H047CC05 , 2H047GG02 , 2H047HH01 , 4M118AA10 , 4M118AB05 , 4M118BA02 , 4M118CA03 , 4M118CA32 , 4M118CB01 , 4M118CB13 , 4M118GA02 , 4M118GA07 , 4M118GA09 , 4M118GA10 , 4M118GC01 , 4M118GD02 , 4M118HA02 , 4M118HA20 , 4M118HA23 , 4M118HA25 , 5F049AA03 , 5F049AB07 , 5F049AB12 , 5F049BB01 , 5F049DA01 , 5F049DA06 , 5F049DA17 , 5F049DA18 , 5F049EA06 , 5F049FA05 , 5F049FA09 , 5F049FA11 , 5F049FA20 , 5F049GA04 , 5F049HA03 , 5F049JA03 , 5F049JA05 , 5F049JA13 , 5F049LA09

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-111479
特開平4-092479
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-052515 出願人：株式会社日立製作所

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