特許
J-GLOBAL ID：200903080706724612

Ta/Si系焼結合金の製造方法

発明者：
牛嶋 裕次

牛嶋 裕次 について

, 
小島 一幸

小島 一幸 について


出願人/特許権者：
東海カーボン株式会社

東海カーボン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293457
公開番号（公開出願番号）：特開平9-111363
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：
【要約】【課題】 Ta、Siを主成分としてW、Cr、Ti、Zr、Mo、Nb、Hfなどの金属や金属珪化物を添加した高密度、高純度のTa/Si系焼結合金の製造方法を提供する。【解決手段】原子比でTa粉末2.0〜3.0原子、Si粉末6.0〜7.0原子、残部がW、Cr、Ti、Zr、Mo、Nb、Hfの少なくとも一種を含む金属粉末または金属珪化物粉末からなる混合粉体を、真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で1100〜1200°Cの温度で加熱処理した後、反応生成物を再混合し、次いで真空下あるいは不活性ガス雰囲気下でSiの融点未満の温度でホットプレスするTa/Si系焼結合金の製造方法。
請求項（抜粋）：
原子比でTa粉末2.0〜3.0原子、Si粉末6.0〜7.0原子、残部がW、Cr、Ti、Zr、Mo、Nb、Hfの少なくとも一種を含む金属粉末または金属珪化物粉末からなる混合粉体を、真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で1100〜1200°Cの温度で加熱処理した後、反応生成物を再混合し、次いで真空下あるいは不活性ガス雰囲気下でSiの融点未満の温度でホットプレスすることを特徴とするTa/Si系焼結合金の製造方法。
IPC (3件)：
C22C 1/04 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/06
FI (3件)：
C22C 1/04 Z ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/06 E
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM