特許
J-GLOBAL ID：200903080717910876

カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及び表示装置

発明者：
金 夏 辰

金 夏 辰 について

, 
韓 仁 澤

韓 仁 澤 について


出願人/特許権者：
三星エスディアイ株式会社

三星エスディアイ株式会社 について


代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-254284
公開番号（公開出願番号）：特開2005-075725
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及び表示装置を提供する。【解決手段】触媒物質層が形成された基板に1次カーボンナノチューブを成長させ、1次成長後にカーボンナノチューブの表面に存在する触媒物質を利用して1次カーボンナノチューブの表面に2次カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法である。このように、1次カーボンナノチューブの側面に成長した微細直径の2次カーボンナノチューブは、低い電圧下でも電子を放出する。また、微細直径の2次カーボンナノチューブ、すなわち電子放出源の増加によって高い電子放出電流が得られ、均一な分布で形成された1次カーボンナノチューブの直径を通じて均一な電界放出特性が得られる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板と、基板に成長した多数のカーボンナノチューブと、を備えるカーボンナノチューブ構造体において、 前記カーボンナノチューブは、 前記基板に対して垂直成長した多数の1次カーボンナノチューブと、 前記1次カーボンナノチューブの側面に多数成長する2次カーボンナノチューブと、を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ構造体。
IPC (5件)：
C01B31/02 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12
FI (5件)：
C01B31/02 101F ,  H01J9/02 B ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 C ,  H01J1/30 F
Fターム (43件)：
4G146AA11 ,  4G146AA16 ,  4G146AB08 ,  4G146AD14 ,  4G146AD17 ,  4G146AD29 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BC07 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CB16 ,  4G146CB22 ,  4G146CB34 ,  5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11 ,  5C036EH26 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD08 ,  5C127EE02 ,  5C127EE06 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135HH02 ,  5C135HH06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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