半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-340519
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164966
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【目的】小型で放熱性が良くしかも光ピックアップ等の光学装置への組み込みの際の位置決め精度を高めることができる半導体レーザ装置を提供する。【構成】平板状の基板2の先端部に保護枠3を設け、この保護枠3によって囲まれる前記基板2の上面に半導体レーザ素子4及びその出力を検出する受光素子5を配置した半導体レーザ装置1において、前記保護枠3は、遮光性の樹脂によって形成しているとともに、前記基板2の前縁21a及び左右側縁21b,cよりも所定距離だけ内側に位置するように係止手段によって基板2の上面に取り付けられており、前記係止手段は、基板2に形成した孔と、この孔に差し込まれるように保護枠3に形成した小突起とで構成していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

平板状の基板の先端部に保護枠を設け、この保護枠によって囲まれる前記基板の上面に半導体レーザ素子を配置した半導体レーザ装置において、前記保護枠は、前記基板に前記半導体レーザ素子を配置した後に、前記基板の前縁及び左右側縁よりも所定距離だけ内側に位置するように基板の上面に取り付けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (8件)：

5F073EA29 , 5F073FA02 , 5F073FA13 , 5F073FA14 , 5F073FA15 , 5F073FA22 , 5F073FA23 , 5F073FA30

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-163985
特開平2-163985
特開平2-125687

全件表示

前のページに戻る