特許

J-GLOBAL ID：200903080749574215

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 山形 修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071666
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254623
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】本発明は光電変換装置の製造方法において、従来に比して型離れが良くかつ美観検査による不良品の発生し難い光電変換装置の製造方法を実現する。【構成】光電変換素子を透明樹脂によつて封止した光電変換装置の製造時、成形金型として、光電変換素子と対面する型面部分に鏡面仕上げされた金型部品を取り付けた型面梨地の第1の成形金型と、型面梨地の第2の成形金型とを用いる。これにより光電変換素子と対向する表面部分だけが鏡面に形成され、他の表面部分は梨地に形成される。このように大部分が梨地であることにより型離れは良くなる。また透明パツケージのうち光通過領域以外の部分に生じたヒケ等は梨地によつて覆われて確認できないため、この種のヒケ等によつて不良品と判断されるおそれを低減できる。

請求項（抜粋）：

光電変換素子が透明樹脂で封止されてなる光電変換装置の製造方法において、上記光電変換装置の製造時、上記光電変換素子と対面する型面部分に鏡面仕上げされた金型部品を取り付けてなる型面梨地の第1の成形金型と、型面梨地の第2の成形金型とを上記光電変換素子を両側から挟みつけた状態で型締めし、互いに型締めされた上記第1及び第2の成形金型の隙間部分に透明樹脂を注入することを特徴とする光電変換装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 31/02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-255514
  
• 半導体素子の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-051414   出願人：オムロン株式会社