特許

J-GLOBAL ID：200903080751241410

耐圧検査方法及びその装置

発明者： 日 吉 道 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-294329
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100819
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 高耐圧デバイスの耐圧検査における各電極間や高電圧発生装置等の装置筐体間の絶縁能力を向上させ、半導体基板の状態での耐圧検査を可能とすることで検査効率を向上させる。【解決手段】 半導体ウェーハ1を絶縁溶液22中に浸漬することで、ゲートに接続されたプローブ11P、エミッタに接続された12Pとコレクタに接続された電極13C、容器21のそれぞれの間での絶縁耐性を向上させた状態で超高圧での耐圧検査を可能とする。半導体ウェーハ1の状態での検査を可能とすることで、検査効率、生産効率が向上する。

請求項（抜粋）：

ステージ上に搭載された半導体基板の耐圧を検査する方法であって、前記半導体基板の少なくとも表面を絶縁溶液で覆うステップと、前記半導体基板における少なくとも2カ所の間に電圧を印加することで、前記半導体基板の耐圧を検査するステップと、を備えることを特徴とする耐圧検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26

FI (2件)：

H01L 21/66 B ,  G01R 31/26 B

Fターム (11件)：

2G003AA02 ,  2G003AA10 ,  2G003AB05 ,  2G003AC08 ,  2G003AE09 ,  2G003AH04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA02 ,  4M106DD30

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-023835   出願人：日本電気株式会社
• 超音波センサの冷却システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-355404   出願人：工業技術院長, 高本正樹, 株式会社カイジョー