半導体基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西山恵三 , 内尾裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-028507
公開番号（公開出願番号）：特開2007-208189
出願日： 2006年02月06日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】欠陥の充分少ない高品質な歪みSi基板を提供する。【解決手段】半導体基板の製造方法は、支持基板とは格子定数の異なるヘテロエピタキシャル層、多孔質層、Si層が順に積層された構造を少なくとも含む支持基板に、前記Si層の歪みを変化させるために、前記ヘテロエピタキシャル層の応力を変化させる工程を行なう。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の製造方法であって、支持基板とは格子定数の異なるヘテロエピタキシャル層、多孔質層、Si層が順に積層された構造を少なくとも含む支持基板に、前記Si層の歪みを変化させるために、前記ヘテロエピタキシャル層の応力を変化させる工程を行なう、ことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L21/20 , H01L21/205

Fターム (28件)：

5F045AA03 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AD09 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045HA16 , 5F152LL02 , 5F152LN03 , 5F152LN21 , 5F152LP01 , 5F152LP02 , 5F152LP04 , 5F152LP09 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NP02 , 5F152NP03 , 5F152NP04 , 5F152NP05 , 5F152NP06 , 5F152NP09 , 5F152NP10 , 5F152NP13 , 5F152NP22 , 5F152NP24 , 5F152NQ03

引用特許：

出願人引用 (2件)

歪シリコン電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-238755 出願人：株式会社東芝
米国特許第6503773号公報

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