特許

J-GLOBAL ID：200903080757330686

半導体熱処理炉用ガス導入管

発明者： 武田 修一 ,  佐藤 浩昌 ,  稲葉 毅 ,  塩谷 豊 ,  清野 勝
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-307323
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118066
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】堆積した堆積膜が部分的に剥がれをなくすことにより、パーティクルをなくし、半導体ウェーハの製造歩留を向上させ、さらに、製造が容易で、使用時の洗浄が容易な導入管を提供する。【解決手段】L字状の石英ガラス管6Lと、この石英ガラス管6Lの一端に接合されたストレート状のCVD-SiC管6Sとを有し、接合は、少なくともCVD-SiC管6Sの一端部に形成されたテーパ部6Stを石英ガラス管6Lの一端部に嵌合することにより行われる半導体熱処理炉用ガス導入管。

請求項（抜粋）：

L字状の石英ガラス管と、この石英ガラス管の一端に接合されたストレート状のCVD-SiC管とを有し、前記接合は、少なくともCVD-SiC管の一端部に形成されたテーパ部を石英ガラス管の一端部に嵌合することにより行われることを特徴とする半導体熱処理炉用ガス導入管。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 S ,  H01L 21/324 R

Fターム (6件)：

5F045AA06 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB03 ,  5F045EC08 ,  5F045EF11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-280420
  
• 高純度炭化珪素質半導体処理部材及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-095870   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 特開昭57-017126
  
• 特開平2-142988