特許
J-GLOBAL ID：200903080759155750
冷陰極電界電子放出素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-352353
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116469
出願日： 2003年10月10日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】ガラス基板を使用することを可能とし、しかも、高い電子放出効率を達成し得る電子放出部が得られる冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、カソード電極11が表面に形成された支持体10を準備しておき、支持部材30に形成された触媒層32上にCVD法にて針状の電子放出部41を形成した後、マトリックス材料42によって電子放出部41を埋め込んで電子放出層43を得た後、支持部材30を除去し、次いで、カソード電極11の上に接着層44によって電子放出層43を接着し、その後、全面に絶縁層を形成し、絶縁層上にゲート電極を形成し、更に、ゲート電極及び絶縁層に開口部を形成して開口部の底部に電子放出層43を露出させる各工程を具備する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の方向に延びるカソード電極が表面に形成された支持体を準備しておき、
(A)触媒層が形成された支持部材の該触媒層上に化学的気相成長法にて針状の電子放出部を形成した後、マトリックス材料によって電子放出部を埋め込み、以て、電子放出部がマトリックス材料によって埋め込まれた電子放出層を得る工程と、
(B)支持部材を除去した後、前記支持体上に形成されたカソード電極の上に、接着層によって電子放出層を接着する工程と、
(C)電子放出層及び支持体上に絶縁層を形成する工程と、
(D)絶縁層上に、第1の方向とは異なる第2の方向に延びるゲート電極を形成する工程と、
(E)ゲート電極の射影像とカソード電極の射影像とが重複する領域におけるゲート電極の部分及び絶縁層の部分に開口部を形成して開口部の底部に電子放出層を露出させ、更に、開口部の底部に露出した電子放出層の部分のマトリックス材料の少なくとも一部分を除去し、少なくとも針状の電子放出部の一部分を露出させる工程、
を具備することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01J9/02
, H01J1/304
, H01J29/04
, H01J31/12
H01J9/02 B
, H01J29/04
, H01J31/12 C
, H01J1/30 F
5C031DD17
, 5C036EE14
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EG12
, 5C036EH26
, 5C127AA01
, 5C127BA09
, 5C127BA13
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127CC03
, 5C127DD08
, 5C127EE20
, 5C135AA09
, 5C135AA13
, 5C135AA14
, 5C135AA15
, 5C135AB07
, 5C135AB18
, 5C135AC01
, 5C135AC02
, 5C135AC28
, 5C135AC29
, 5C135FF19
, 5C135GG16
, 5C135HH02
, 5C135HH14
, 5C135HH15
