特許
J-GLOBAL ID：200903039057246226
電子放出装置の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、及び、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127379
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324480
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】比較的低温においても炭素系薄膜を形成することができ、しかも、金属層やカソード電極の所望の部位に確実に炭素系薄膜を形成することができる電子放出装置の製造方法を提供する。【解決手段】この製造方法は、支持体10上にカソード電極11、絶縁層12、開口部14Aを有するゲート電極13を形成し、開口部14Aに連通する第2の開口部14Bを絶縁層12に形成した後、第2の開口部14Bの底部に位置するカソード電極11の部分の表面に、カソード電極11の表面と有機溶剤との反応によって錯化合物層22から成る炭素系薄膜選択成長領域20を形成し、炭素系薄膜選択成長領域20上に炭素系薄膜23から成る電子放出部15を形成する各工程から成る。
請求項（抜粋）：
(A)支持体上に金属層を形成する工程と、(B)該金属層の表面と有機溶剤との反応によって、錯化合物層から成る炭素系薄膜選択成長領域を該金属層表面に形成する工程と、(C)炭素系薄膜選択成長領域上に炭素系薄膜から成る電子放出部を形成する工程、から成ることを特徴とする電子放出装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/304
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
5C036EE14
, 5C036EG12
, 5C036EH04
