特許
J-GLOBAL ID:200903080792795950
多孔質炭化珪素焼結体およびこの多孔質炭化珪素焼結体の製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
木下 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-024291
公開番号(公開出願番号):特開2004-231493
出願日: 2003年01月31日
公開日(公表日): 2004年08月19日
要約:
【課題】半導体製造工業分野で使用される部材として十分高純度で、かつ高強度の炭化珪素多孔質焼結体及び炭化珪素多孔質焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる多孔質炭化珪素焼結体は、気孔率が30%以上50%以下、気孔径が0.2μm以上20μm以下の多孔質炭化珪素焼結体であって、前記多孔質焼結体骨格を構成する炭化珪素粒子のネック径/粒子径比が0.6以上であることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
気孔率が30%以上50%以下、気孔径が0.2μm以上20μm以下の多孔質炭化珪素焼結体であって、前記多孔質焼結体の骨格を構成する炭化珪素粒子のネック径/粒子径比が0.6以上であることを特徴とする多孔質炭化珪素焼結体。
IPC (4件):
C04B35/573
, C04B38/00
, C04B41/87
, H01L21/68
FI (4件):
C04B35/56 101U
, C04B38/00 303Z
, C04B41/87 G
, H01L21/68 N
Fターム (28件):
4G001BA22
, 4G001BA62
, 4G001BA63
, 4G001BA78
, 4G001BB22
, 4G001BB63
, 4G001BC13
, 4G001BC24
, 4G001BC25
, 4G001BC44
, 4G001BC47
, 4G001BC52
, 4G001BC54
, 4G001BC57
, 4G001BC72
, 4G001BD12
, 4G001BD13
, 4G001BD37
, 4G001BD38
, 4G001BE26
, 4G001BE33
, 4G001BE34
, 4G019FA13
, 4G019FA15
, 5F031CA02
, 5F031HA02
, 5F031HA03
, 5F031MA28
引用特許:
審査官引用 (12件)
-
特開平1-242411
-
特開平1-242411
-
特開昭61-000423
全件表示
前のページに戻る