特許

J-GLOBAL ID：200903080817543900

量子メモリ

発明者： 宇賀神 隆一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106132
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297381
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 従来の半導体メモリと全く異なる動作原理に基づく、超高集積度の量子メモリを実現する。【構成】 順次積層された三段の量子ドットQDj-1 、QDj-2 、QDj-3 により一つのメモリセルを構成し、このメモリセルを二次元的に複数配列してメモリセルアレーを構成する。量子ドットQDj-1 、QDj-2 、QDj-3 は化合物半導体ヘテロ接合により形成する。書き込みや読み出しは、書き込みや読み出しを行うべきメモリセルを含む領域にレーザー光を照射しながら、そのメモリセルに針状電極を接近させて外部電場を印加することにより行う。

請求項（抜粋）：

順次積層された第1の量子箱、第2の量子箱および第3の量子箱によりメモリセルが構成され、上記第1の量子箱および上記第2の量子箱の間の結合の強さと上記第2の量子箱および上記第3の量子箱の間の結合の強さとが互いに異なることを特徴とする量子メモリ。

IPC (3件)：

H01L 29/66 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 量子結合メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218262   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 量子結合メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218262   出願人：株式会社日立製作所