特許
J-GLOBAL ID：200903080818355784
半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-301449
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148553
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 固体撮像用のエピタキシャル半導体基板の作成において、白傷欠陥を低減するために金属不純物の混入が少ないエピタキシャル層の形成を可能にする。【解決手段】 固体撮像用のエピタキシャル半導体基板3の作成において、SiH4 のソースガスを用い、1050°C未満以下、好ましくは1030°C以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層2を成長するようになす。
請求項（抜粋）：
固体撮像用のエピタキシャル半導体基板の作成において、SiH4 のソースガスを用い、1050°C未満以下のエピタキシャル成長温度でエピタキシャル層を成長することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/148
, H01L 21/205
H01L 27/14 B
, H01L 21/205
