特許

J-GLOBAL ID：200903080826981317

半導体メモリセル用キャパシタの電極及び半導体メモリセル用キャパシタ、並びに、それらの作製方法

発明者： 田中 均洋 ,  網 美保
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009480
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209392
出願日： 1997年01月22日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】電極が長時間に亙り高温雰囲気に曝された場合であっても、誘電体キャパシタの特性が劣化することなく、電気的特性に優れた半導体メモリセル用キャパシタを得るための、半導体メモリセル用キャパシタの電極を提供する。【解決手段】2つの電極22,24と、これらの電極に挟まれた誘電体薄膜から成るキャパシタ絶縁膜23とから構成された半導体メモリセル用キャパシタにおいて、少なくとも一方の電極22は、金属層22Aと、該金属層22Aの表面を拡散律速反応に基づき酸化することにより形成された金属酸化物層22Bとから構成されており、該金属酸化物層22Bは該キャパシタ絶縁膜23との界面に位置する。

請求項（抜粋）：

2つの電極と、これらの電極に挟まれた誘電体薄膜から成るキャパシタ絶縁膜とから構成された半導体メモリセル用キャパシタにおいて、少なくとも一方の電極は、金属層と、該金属層の表面を拡散律速反応に基づき酸化することにより形成された金属酸化物層とから構成されており、該金属酸化物層は該キャパシタ絶縁膜との界面に位置することを特徴とする半導体メモリセル用キャパシタの電極。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-166091   出願人：三菱電機株式会社
• 層状構造酸化物薄膜の乾式エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-190899   出願人：シャープ株式会社