基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮本治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230208
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058518
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】電極間隔を可変にできると共に、プラズマ処理効率に優れた基板処理装置を提供する。【解決手段】カソード24とアノード33とにより平行平板型の電極を構成する。アノード33を昇降可能とする。アノード33の全周囲に排気プレート50を設ける。排気プレート50には複数の排気口51を設ける。排気プレート50の外側の端部には、遮蔽部材としての邪魔板52を設ける。アノード33を昇降させて電極間隔を変更しても、排気プレート50と邪魔板52がアノード33と一緒に昇降するので、プラズマを内槽30内に閉じ込めることができプラズマ処理効率に優れる。ガスは、排気プレート50の排気口51を介して排気されるので、反応ガスの流れがアノード33の周囲に対して均一となり、均一なプラズマ処理が可能となる。

請求項（抜粋）：

処理槽と、前記処理槽内に互いに対向して設けられた第1および第2の電極とを備える基板処理装置であって、前記第1の電極の全周囲であって少なくとも前記第1の電極の外周と前記処理槽の側壁との間に設けられた仕切部材をさらに備え、前記仕切部材が前記第1の電極と共に移動可能であって、前記第1の電極が移動することによって前記第1および第2の電極間の間隔を変更可能であることを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

Fターム (26件)：

4K030EA11 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA09 , 4K030KA12 , 4K030KA14 , 4K030KA41 , 4K057DB06 , 4K057DD01 , 4K057DM38 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA07 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BD04 , 5F004CA05 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EF17 , 5F045EF20 , 5F045EG02 , 5F045EH13 , 5F045EM10

引用特許：

審査官引用 (1件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196985 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

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