特許

J-GLOBAL ID：200903080837526875

基板処理装置

発明者： 余宮 孝一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059028
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345808
出願日： 1993年12月31日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体ウエハに対して例えば塗布液を塗布し、その後熱処理を行う装置において、高いスル-プットで処理する。【構成】 装置の手前側から順に、一直線に沿って複数のウエハカセットCが配置されるカセット配置部と、前記直線に沿って形成された搬送路に沿ってウエハを搬送する第1の搬送手段40と、前記直線に沿って複数並べられ各々手前側及び奥側にウエハ受け渡し口4の開閉扉が設けられている塗布処理部2と、前記直線に沿って形成された搬送路に沿ってウエハを搬送する第2の搬送手段10と、熱処理部3とを設け、第1の搬送手段40によりカセットからウエハを取り出して塗布処理部2に搬送し、第2の搬送手段により、塗布処理済みのウエハを熱処理部に受け渡す。

請求項（抜粋）：

水平な直線状の搬送路に沿って基板を搬送する第1の搬送手段と、複数の基板を収納する基板カセットが前記搬送路に沿って複数配置される基板配置部と、前記搬送路に沿って前記基板配置部とは反対側に複数横に並べて設けられた第1の基板処理部と、を備え、前記第1の搬送手段は、基板配置部に配置された基板カセットと前記基板処理部との間で基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/31 A ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/90 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-134176
  
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-047738   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社