特許

J-GLOBAL ID：200903080847201630

電子デバイス及びその製造方法

発明者： 岩崎 晃久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-243260
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060166
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】 low-k膜のような疎水性膜を使用した多層配線構造において、層間絶縁膜に使用する疎水性膜とライナー膜又はバリア膜として使用する親水性膜との界面剥離の発生を防止する。 【解決手段】 電子デバイスは、図示しない基板上に形成された第1の層間絶縁膜11の下層配線溝11aを埋め込むように形成された下層配線12と、下層配線12の上に形成されたバリア膜13と、第1の層間絶縁膜11及びバリア膜13の上に形成された第2の層間絶縁膜14とを備えている。そして、電子デバイスは、第1の層間絶縁膜11と第2の層間絶縁膜12とが接合している界面を有している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜の凹部を埋め込むように形成された下層配線と、 少なくとも前記下層配線の上に形成されたバリア膜と、 前記第1の絶縁膜及び前記バリア膜の上に形成された第2の絶縁膜とを備え、 前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とは接合していることを特徴とする電子デバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (2件)：

H01L21/90 J ,  H01L21/90 A

Fターム (68件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK14 ,  5F033KK15 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM11 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN17 ,  5F033PP07 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ50 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033TT00 ,  5F033TT02 ,  5F033TT03 ,  5F033TT08 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 配線構造及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-037311   出願人：富士通株式会社