特許

J-GLOBAL ID：200903080854979573

薄膜形成方法

発明者： 町田 克之 ,  久良木 億 ,  秋谷 秀夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-099111
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032198
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置を形成するウエハの大口径化に対応して、低コストで薄膜を形成し、加えて、平坦化ができるようにする。【解決手段】 表面にあらかじめ絶縁膜4(貼り合わせ薄膜)が形成されたシートフィルム(基材)5を用意する。そして、半導体基板1を加熱手段を有する試料台6上に固定する。次いで、絶縁膜4が形成された面が半導体基板1表面に対向するようにして、シートフィルム5を半導体基板1上に配置する。そして、シートフィルム5裏面より、おもりを置くなどにより加重をかけてシートフィルム5の絶縁膜4を絶縁膜3表面に接着させる。

請求項（抜粋）：

凹凸を有する半導体基板に高密度プラズマを用いた化学気相成長法により堆積薄膜を形成する第1の工程と、貼り合わせ薄膜が形成された基材と前記半導体基板とを、前記堆積薄膜と前記貼り合わせ薄膜とが向かい合うように貼り合わせる第2の工程と、引き続いて前記半導体基板を第1の温度に加熱して前記貼り合わせ薄膜を前記堆積薄膜上に形成する第3の工程と、前記基材を前記貼り合わせ薄膜より剥離する第4の工程とを備えたことを特徴とする薄膜形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-182138
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042772   出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス