半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-080801
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284176
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】従来と同等の主耐圧歩留まりを維持したまま、ワイヤボンデイング時の歩留まりを向上した半導体装置を提供する。【解決手段】エミッタ電極に純粋なアルミニウムが設けられ、かつエミッタ電極とMOSゲート間にバリア層を設ける。【効果】純粋なアルミニウムを使用することによりシリコン残さがなくなると共に、シリコン中へのアルミ拡散が防止される。これにより、主耐圧を劣化させることなくワイヤボンデイング時に発生するクラックを防止でき、ワイヤボンデイング時の歩留まりを向上できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層と第1の半導体の表面より形成された第2導電型の第2の半導体層と第2の半導体層中に形成された第1導電型の第3の半導体層と第3の半導体層,第1の半導体層,第2の半導体層表面に形成されたゲート酸化膜とゲート酸化膜上に形成されたゲート電極とゲート電極をおおう絶縁膜と絶縁膜上に形成され、第2及び第3の半導体層とオーミック接触する電極と電極上に設けられたワイヤを有する半導体装置において上記電極は純粋なアルミニウムであり、かつ電極と絶縁膜間にバリア層が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/60 301 , H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 29/78 652 M , H01L 21/60 301 P , H01L 29/46 T

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-165557 出願人：株式会社日立製作所

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