特許

J-GLOBAL ID：200903041280319213

半導体装置

発明者： 内野 禎敬 ,  櫻井 直樹 ,  森 睦宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165557
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012571
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】導通領域に大直径のワイヤを直接ボンディングしても耐圧劣化を起こさない電極構造を提供する。【解決手段】n~ 層13と、n~ 層13に形成されたゲート酸化膜21と、ゲート酸化膜21上のゲート電極と、ゲート電極を覆う絶縁膜と、表面よりゲート電極間に形成されたp層14と、p層14中に形成されたn+ 層15と、絶縁膜上に形成されたシリサイド42と、シリサイド42上に形成されたアルミニウムと、アルミニウム上に形成されたワイヤ電極51を有する。

請求項（抜粋）：

第1の主表面を有する第1導電型の第1の領域と、前記第1の主表面上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の電極と、前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、前記第1の主表面から前記第1の電極間に形成された第2導電型の第2の領域と、前記第2の領域内に形成された第1の導電型の第3の領域と、前記第2の絶縁膜と、前記第1の主表面に露出した前記第2の領域と前記第3の領域上に形成されたシリサイドを主成分とする第2の電極と、前記第2の電極上に形成されたアルミニウムを主成分としシリコン含有量が0.1% 以下である第3の電極と、前記第3の電極上に固着されたワイヤ電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 301 D ,  H01L 21/60 301 F ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 655 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• MOSゲートを備える半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-096394   出願人：株式会社東芝
• 特開昭59-121925
  
• 特開昭62-042560
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-220816   出願人：富士電機株式会社