特許
J-GLOBAL ID：200903080873372825

サセプタを含む処理チャンバ内で半導体基板を加熱するプロセスおよびシステム

発明者：
ヤング ジャイ リー

ヤング ジャイ リー について

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ロナルド エル.ワン

ロナルド エル.ワン について

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スティーブン リー

スティーブン リー について

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ダニエル ジェイ.ディバイン

ダニエル ジェイ.ディバイン について


出願人/特許権者：
マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド

マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-504278
公開番号（公開出願番号）：特表2005-530335
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
サセプタ上に処理チャンバ内で半導体基板を加熱する処理およびシステムを開示する。本発明によるサセプタを開示する。本発明によれば、サセプタは、サセプタ上にウエハを懸架する比較的低い熱伝導率を有する材料から作られた支持構造体を含む。支持構造体は、高い温度の処理の間にウエハに形成される径方向の温度勾配を抑制するまたは妨げる特定の高さを有する。必要であれば、リセスを、支持構造体を配置しかつ位置決めするためにサセプタに形成することができる。サセプタは、加熱サイクル間にウエハの形状に一致するように構成された形状を有するポケットを画定するウエハ支持表面を含むことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板を処理するシステムであって、 半導体ウエハを含むように構成された処理チャンバと、 前記処理チャンバ内に配置されるサセプタとを備え、前記サセプタが、半導体ウエハを受けるウエハ支持表面を備え、前記ウエハ支持表面が、少なくとも1つのリセスと前記リセス内に配置された対応する支持構造体とを含み、前記支持構造体が、前記ウエハの熱処理中に前記サセプタ上に半導体ウエハを上げるように構成され、前記支持構造体が、1100°Cの温度で約0.06Cal/cm・s・°C以下の熱伝導率を有し、前記システムがさらに、 前記サセプタ上に支持された半導体ウエハを加熱するために、前記サセプタと協働して動作するように配置された加熱デバイスを備えることを特徴とするシステム。
IPC (3件)：
H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324
FI (3件)：
H01L21/02 Z ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 Q
Fターム (8件)：
5F045AA03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB13 ,  5F045DP15 ,  5F045EK07 ,  5F045EK21 ,  5F045EM06 ,  5F045EM09
引用特許：
審査官引用 (11件)
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