微細レジストパターンの形成方法およびポストエキスポージャーベーク装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246166
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111370
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は、露光後、すぐにPEBを行なわなくても、レジストパターンの寸法を正確に制御できるように改良された、微細レジストパターンの形成方法を提供することを最も主要な特徴とする。【構成】ウエハ2の上に化学増幅レジスト1を形成する。化学増幅レジスト1を選択的に露光(4)し、レジストパターン1aの潜在画像51を形成する。所望のライン幅またはスペースを有するレジストパターン1aを得るために、化学増幅レジスト1についての、露光からPEBまでの経過時間と、仕上がりレジストパターン1aのライン幅またはスペースの変化との間の関係をもとに決定された条件で、化学増幅レジスト1を、ホットプレート10によりポストエキスポージャーベークする。化学増幅レジスト1を現像し、微細レジストパターン1aを得る。

請求項（抜粋）：

仕上がるレジストパターンのライン幅またはスペースが、露光からポストエキスポージャーベークまでの経過時間により、変化する化学増幅レジストを準備する工程と、前記化学増幅レジストについての、前記露光から前記ポストエキスポージャーベークまでの経過時間と、仕上がりレジストパターンのライン幅またはスペースの変化との間の関係を求める工程と、ウエハの上に前記化学増幅レジストを形成する工程と、前記化学増幅レジストを選択的に露光し、前記レジストパターンの潜在画像を形成する工程と、所望のライン幅またはスペースを有するレジストパターンを得るために、露光からポストエキスポージャーベークまでの経過時間と仕上がるレジストパターンのライン幅またはスペースの変化との前記関係をもとに決定された条件で、前記化学増幅レジストをポストエキスポージャーベークする工程と、前記化学増幅レジストを現像する工程と、を備えた微細レジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/40 501

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-130326
特開平4-130326
特開平3-015849

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