特許
J-GLOBAL ID：200903080888361013
半導体素子実装用接合材およびそれを用いた実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-017489
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061584
出願日： 1991年02月08日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 半田層をヒートシンクへ容易に転写することができ、転写後の表面が清浄であり、半導体素子の安定した密着強度を得る。【構成】 半導体素子実装用接合材Aは、厚さ50μmの四フッ化エチレン-エチレン共重合体(以下「ETFE」という)フィルム10に膜厚2μmのインジュウム2を蒸着したものである。この接合材Aを、コテ6に0.5m/sec2程度の加速度および300gの静圧を加えながらETFEフィルム10側からヒートシンク1に押しつける。インジュウム2は押しつけられたコテ6の底面の形できれいに転写される。加圧のみで転写するためETFEフィルム10に含まれているフッ素や炭素が解離してインジュウムの表面に付着することなく、表面の清浄な転写したインジュウムが得られる。
請求項（抜粋）：
ヒートシンクへ半導体素子を直接接合する半導体素子実装用接合材であって、四フッ化エチレン-エチレン共重合体フィルム上に、半田層となるインジュウムを含む金属を設けたことを特徴とする半導体素子実装用接合材。
IPC (2件)：
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