特許

J-GLOBAL ID：200903080898798673

アパーチャの製作方法、アパーチャ製作のための鋳型及びその製造方法

発明者： 高松 潤 ,  小笠原 宗博 ,  大歳 研司 ,  小池 徹 ,  大木 進 ,  加藤 善光 ,  滝川 忠宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061378
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260241
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】より高精度のアパーチャの製作方法及びこのアパーチャを搭載したLSI製造装置、アパーチャ製作のための鋳型及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板11上、メッキ下地12の上にレジスト鋳型13を形成する。アパーチャ形成部の側壁に対応する鋳型側の島状のパターン(鋳型パターン)14に関し、内側に側壁を伴う入れ子状のパターン(ダミーパターン)15を有する。このレジスト鋳型13を用いメッキ法によりAu薄膜16を成膜する。これにより、外側と内側とでメッキ膜の応力を相殺させ応力の影響を緩和させアパーチャの仕上がり時の寸法精度を向上させる。また、集束イオンビーム(FIB)によるスパッタ作用、あるいはビームアシスト成膜を利用して、アパーチャを形成するための鋳型、あるいはアパーチャを修正加工する。高精度のアパーチャをLSI製造装置に搭載する。

請求項（抜粋）：

基板上に鋳型を形成しメッキ法によって薄膜を成膜する工程を含むアパーチャの製作において、アパーチャ形成部の側壁に対応する鋳型側の島状のパターンに関し、内側に側壁を伴う入れ子状のパターンを有した鋳型を形成する工程と、前記鋳型内の前記基板上に金属膜を成膜する工程と、前記鋳型を除去する工程と、前記金属膜が形成された前記基板の裏面から所定領域をエッチングして開口部を形成する工程とを具備したことを特徴とするアパーチャの製作方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  C25D 1/20

FI (4件)：

H01L 21/30 541 B ,  C25D 1/20 ,  H01L 21/30 541 E ,  H01L 21/30 541 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• アパーチャマスク及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-224366   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-216529