特許
J-GLOBAL ID：200903080907332526
薄層の厚さと薄層の厚さの変化を測定する方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-060012
公開番号（公開出願番号）：特開平10-253326
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 化学的・機械的研磨プロセス(CMP)に適用され、薄層厚の変化を、一方では研磨しながら、リアルタイムで測定し、全体的な加工能率を向上させることができる、方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明のCMP用光学プロセスを監視する装置は、研磨中の薄層の厚さをその位置で測定することができる。研磨中のウエハ(28)上で入射光の入射角度(α)が変化するので、薄層からの光がウエハ(28)で反射する強度は、局所の最大点(a、a’)ならびに最少点(b、b’)で変化を受ける。光強度が最大もしくは最少である角度は薄層干渉式によって定められるので、それによって薄層の厚さ及び/又はその厚さの変化を測定することができる。
請求項（抜粋）：
基板の主表面上に形成される薄層の厚さ又は薄層の厚さ変化を測定する方法において、前記基板と前記薄層とを照明する工程と、前記基板と前記薄層とから反射した照明光の強度を検出する工程と、複数の入射角度における反射照明光強度を測定する工程と、を有することを特徴とする、前記方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01B 11/06 Z
, H01L 21/66 P
