特許

J-GLOBAL ID：200903080972291578

水素マイクロプリント法

発明者： 長尾 彰英 ,  林 謙次 ,  鹿内 伸夫
出願人/特許権者： JFEスチール株式会社
代理人 (2件)： 落合 憲一郎 ,  森 和弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-186697
公開番号（公開出願番号）：特開2009-265072
出願日： 2008年07月18日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】本発明は、極微量水素領域も含めて水素検出効率が極めて高い水素マイクロプリント法を提供する。【解決手段】材料の表面に、水素原子の化学吸着エネルギーの大きい金属めっきであるニッケルをめっき厚さやめっき後の表面粗さを適正化してめっきした後、その上に相対湿度50%以上の大気中で臭化銀を密着させ、生成する銀をSEMなどで観察して、水素放出箇所を可視化し、また、銀の量から水素量を見積もる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

材料の表面に臭化銀およびそれを保護するゼラチンを主成分とする乳剤を塗布し、材料表面から放出される水素と臭化銀の反応により銀を生成させ、水素放出箇所を銀粒子として可視化する水素マイクロプリント法において、 材料の表面に、めっき厚さが100nm以下、かつ、めっき後の材料の表面における十点平均粗さ(RzJIS)が0.010μm以上、0.300μm以下であるニッケルめっきを施した後、相対湿度が50%以上の大気環境中で、前記ニッケルめっきの上に臭化銀を密着させることを特徴とする水素マイクロプリント法。

IPC (2件)：

G01N 31/00 ,  G01N 31/22

FI (2件)：

G01N31/00 C ,  G01N31/22 122

Fターム (6件)：

2G042AA01 ,  2G042BB02 ,  2G042CB01 ,  2G042FA09 ,  2G042FA19 ,  2G042FB02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3545292号公報
  
• 水素マイクロプリント法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-076258   出願人：JFEスチール株式会社