特許
J-GLOBAL ID：200903080989502092

ニトリドシリケート系化合物の製造方法、及びニトリドシリケート蛍光体とそれを用いた発光装置

発明者：
大塩 祥三

大塩 祥三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-517878
公開番号（公開出願番号）：特表2007-511452
出願日： 2004年11月17日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】高品質のニトリドシリケート系化合物を、安価に工業生産する。【解決手段】加熱によってアルカリ土類金属酸化物を生成しうるアルカリ土類金属化合物、又は、加熱によって希土類酸化物を生成しうる希土類化合物を、窒化性ガス雰囲気中における炭素との反応によって還元及び窒化しながら、前記アルカリ土類金属化合物又は前記希土類化合物を、少なくとも珪素化合物と反応させてニトリドシリケート系化合物を製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
加熱によってアルカリ土類金属酸化物MO(但し、Mは、Mg、Ca、Sr、及びBaから選ばれる少なくとも一つの元素、Oは酸素元素)を生成しうるアルカリ土類金属化合物と、珪素化合物と、炭素とを含む材料を、窒化性ガス雰囲気中で反応させることを特徴とするニトリドシリケート系化合物の製造方法。
IPC (5件)：
C01B 21/082 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/59 ,  C09K 11/64 ,  H01L 33/00
FI (5件)：
C01B21/082 C ,  C09K11/08 B ,  C09K11/59 ,  C09K11/64 ,  H01L33/00 N
Fターム (19件)：
4H001CF02 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA20 ,  4H001XA38 ,  4H001XA56 ,  4H001YA58 ,  4H001YA63 ,  5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA34 ,  5F041DA74 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (6件)
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