特許

J-GLOBAL ID：200903081021865082

単結晶の熱処理方法

発明者： 志村 直明 ,  倉田 靖 ,  蔵重 和央 ,  碓井 達也
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  赤堀 龍吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-253885
公開番号（公開出願番号）：特開2007-001850
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にLnとしてイオン半径がTbよりも小さいDy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y及びScからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を用いた単結晶であっても、良好な蛍光特性が得られる単結晶の熱処理方法を提供する。【解決手段】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を酸素を含む雰囲気中で加熱する工程を有する単結晶の熱処理方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)又は(2)で表されるセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を、酸素を含む雰囲気中で加熱する工程を有する、単結晶の熱処理方法。 Y2-(x+y)LnxCeySiO5 (1) [式(1)中、Lnは希土類元素に属する元素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、xは0〜2の数値を示し、yは0超0.2以下の数値を示す。] Gd2-(z+w)LnzCewSiO5 (2) [式(2)中、Lnは希土類元素に属する元素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、zは0超2以下の数値を示し、wは0超0.2以下の数値を示す。]

IPC (6件)：

C30B 29/34 ,  G01T 1/20 ,  G01T 1/202 ,  C30B 33/02 ,  C09K 11/79 ,  C09K 11/08

FI (6件)：

C30B29/34 Z ,  G01T1/20 B ,  G01T1/202 ,  C30B33/02 ,  C09K11/79 ,  C09K11/08 B

Fターム (25件)：

2G088EE02 ,  2G088FF04 ,  2G088FF07 ,  2G088GG10 ,  2G088JJ37 ,  4G077AA02 ,  4G077BD15 ,  4G077FE03 ,  4G077FE11 ,  4G077HA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CA08 ,  4H001CF02 ,  4H001XA08 ,  4H001XA14 ,  4H001XA21 ,  4H001XA39 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA66 ,  4H001XA67 ,  4H001XA68 ,  4H001XA69 ,  4H001XA70 ,  4H001YA58

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特許第2852944号公報
  
• 米国特許第4958080号明細書
  
• 特公平7-78215号公報
  
• 米国特許第5264154号明細書
  
• 特許第2701577号公報
  

審査官引用 (4件)

• 特開平4-321600
  
• 特開平3-207787
  
• シンチレーション材料およびシンチレーション導波路素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-536000   出願人：ティーエイエスアールリミテッド
• 特開平2-064008